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ZXTN2010GTA
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, 表面安装
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXTN2010GTA
库存编号1471165RL
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压80V
连续集电极电流6A
功率耗散1.6W
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
针脚数4引脚
过渡频率130MHz
直流电流增益, Hfe 最小值200hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The ZXTN2010GTA is a NPN medium power low saturation Bipolar Transistor offers 6A continuous collector current and 150V collector-base voltage. It is suitable for emergency lighting circuits, motor driving (including DC fans), solenoid, relay and actuator drivers, DC modules and backlight inverters.
- UL94V-0 Flammability rating
- 20A Peak pulse current
- <lt/>60mV Maximum low saturation voltage VCE(SAT) @ 1A
- Extremely low equivalent ON-resistance
- hFE specified up to 10A for high gain hold up
- Halogen-free, Green device
- -55 to 150°C Operating temperature range
警告
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技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
6A
晶体管封装类型
SOT-223
针脚数
4引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
200hFE
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
80V
功率耗散
1.6W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
130MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000245