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|---|---|
| 5+ | CNY1.880 (CNY2.1244) |
| 10+ | CNY1.190 (CNY1.3447) |
| 100+ | CNY0.838 (CNY0.9469) |
| 500+ | CNY0.808 (CNY0.913) |
| 1000+ | CNY0.614 (CNY0.6938) |
| 5000+ | CNY0.546 (CNY0.617) |
包装规格:每个
最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号BS170
库存编号1017687
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续500mA
漏源接通状态电阻5ohm
晶体管封装类型TO-92
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.1V
功率耗散830mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
BS170是一款N沟道增强型场效应晶体管, 采用高单元密度, DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺旨在最大限度地降低导通电阻, 同时提供耐用, 可靠与快速的开关性能。可用于大多数需要高达500mA DC的应用, 并可提供。适用于低电压, 低电流应用, 例如小型伺服电机控制, 功率MOSFET栅极驱动器, 以及其他开关应用。
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
- 高饱和电流能力
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
500mA
晶体管封装类型
TO-92
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
830mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
5ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2.1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0002