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FCD4N60TM
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 3.9 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 500+ | CNY5.810 (CNY6.5653) |
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| 5000+ | CNY5.290 (CNY5.9777) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FCD4N60TM
库存编号1324776
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续3.9A
漏源接通状态电阻1.2ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散50W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
FCD4N60TM 是一款N沟道SuperFET® 高压超结MOSFET, 采用电荷平衡技术, 实现低导通电阻和低栅极电荷性能。这种技术经过优化, 可最大程度地减少传导损耗, 提供出色的开关性能, dV/dt速率, 优秀的雪崩能力。因此, SuperFET MOSFET适用于开关电源应用, 例如PFC, 服务器/电信电源, FPD TV电源, ATX电源和工业电源应用。
- 超低栅极电荷 (Qg = 12.8nC)
- 低有效输出电容 (Coss.eff = 32pF)
- 100％经过雪崩测试
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.9A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
50W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
1.2ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001814