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FDA50N50
功率场效应管, MOSFET, N通道, 500 V, 48 A, 0.089 ohm, TO-3PN, 通孔
已停产
FDA50N50 的替代之选
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产品概述
FDA50N50是一款UniFET™ N沟道MOSFET，采用高压平面条纹和DMOS技术生产。它是为降低导通电阻而定制的，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。它适用于开关电源转换器的应用，如功率因素校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
- 改进的dV/dt能力
- 105nC典型低栅极电荷
- 45pF典型低Crss
- 100%经过雪崩测试
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
48A
晶体管封装类型
TO-3PN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
625W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
0.089ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.006401