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FDA59N25
功率场效应管, MOSFET, N通道, 250 V, 59 A, 0.049 ohm, TO-3P, 通孔
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDA59N25
库存编号1228352
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds250V
电流, Id 连续59A
漏源接通状态电阻0.049ohm
晶体管封装类型TO-3P
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散392W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The FDA59N25 is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
- 63nC typical low gate charge
- 70pF typical low Crss
- 100% avalanche tested
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
59A
晶体管封装类型
TO-3P
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
392W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
250V
漏源接通状态电阻
0.049ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005