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FDA59N30
功率场效应管, MOSFET, N通道, 300 V, 59 A, 0.056 ohm, TO-3P, 通孔
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDA59N30
库存编号1228354
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds300V
电流, Id 连续59A
漏源接通状态电阻0.056ohm
晶体管封装类型TO-3P
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散500W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
FDA59N30是一款300V N沟道UniFET™ MOSFET, 采用平面条带和DMOS技术。这款高压MOSFET设计降低导通电阻, 并提供更好的开关性能和更高的雪崩强度。UniFET FRFET® MOSFET具有优秀的主体二极管反向恢复性能 (寿命控制)。trr <lt/> 100ns, 反向dv/dt抗扰能力为 15V/ns, 而普通平面MOSFET的性能超过200ns和4.5V/ns。因此, 该器件可以为应用设计减少额外的元件, 并提高系统可靠性。该器件适用于开关电源转换器应用, 例如功率因数校正 (PFC), 平板显示器 (FPD) 电视电源, ATX和电子灯镇流器。该产品是通用型, 适用于许多不同的应用。
- 低栅极电荷
- 100%经过雪崩测试
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
59A
晶体管封装类型
TO-3P
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
500W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
300V
漏源接通状态电阻
0.056ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005