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FDC3535
功率场效应管, MOSFET, P通道, 80 V, 2.1 A, 0.147 ohm, SuperSOT, 表面安装
已停产
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC3535
库存编号2322579
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续2.1A
漏源接通状态电阻0.147ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.6V
功率耗散1.6W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2022)
产品概述
FDC3535是一款采用先进的PowerTrench®工艺生产的P沟道MOSFET。
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (ON)
- 高功率, 高电流处理能力, 适用于表面安装应用
- 快速开关速度
- 100%经过UIL测试
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2.1A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2022)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.147ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2022)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00005