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FDC638APZ
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC638APZ
库存编号2438432
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续4.5A
漏源接通状态电阻0.037ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压12V
阈值栅源电压最大值800mV
功率耗散1.6W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDC638APZ is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for battery power, load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 8nC typical low gate charge
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
4.5A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
12V
功率耗散
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.037ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
800mV
针脚数
6引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001