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FDD4685
功率场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 5000+ | CNY4.390 (CNY4.9607) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDD4685
库存编号1495263
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续32A
漏源接通状态电阻0.027ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.6V
功率耗散69W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
FDD4685是一款-40V P沟道PowerTrench® MOSFET, 设计用于最大限度地降低导通电阻并保持较低的栅极电荷, 以实现卓越的开关性能。这款中等电压功率MOSFET经过优化, 结合低栅极电荷 (QG), 小反向恢复电荷 (Qrr)和软反向恢复主体二极管, 为AC/DC电源中的同步整流提供快速开关。采用屏蔽栅结构, 可提供电荷平衡。采用先进的技术, 这款设备的FOM (品质因数 (QGxRDS (ON)))比上一代低66％。新型PowerTrench® MOSFET的软体二极管性能无需缓冲电路或者替换更高的额定电压 - 可以将电压尖峰降至最低。该产品是通用型, 适用于许多不同的应用。
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (on)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
32A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
69W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.027ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003