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FDD6685
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 40 A, 0.014 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDD6685
库存编号2438437
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续40A
漏源接通状态电阻0.014ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.8V
功率耗散52W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The FDD6685 is a P-channel MOSFET is a rugged gate version of advanced PowerTrench® process, fast switching speed and high performance trench technology for extremely low RDS(ON).
- Fast switching
- ±20V Gate-source voltage
- High power and current handling capability
- AEC-Q101 Qualified
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
40A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
52W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.014ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.8V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001