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FDD8451
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDD8451
库存编号2322587
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续28A
漏源接通状态电阻0.024ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.1V
功率耗散30W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (14-Jun-2023)
产品概述
The FDD8451 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, fast switching speed and extremely low RDS (ON).
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Fast switching
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
28A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
30W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (14-Jun-2023)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.024ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (14-Jun-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000479