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FDD86102
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 500+ | CNY7.280 (CNY8.2264) |
| 2500+ | CNY6.990 (CNY7.8987) |
| 5000+ | CNY6.720 (CNY7.5936) |
| 7500+ | CNY6.430 (CNY7.2659) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDD86102
库存编号2083234
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续36A
漏源接通状态电阻0.019ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.1V
功率耗散62W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
FDD86102是一款采用先进的PowerTrench®工艺生产的N沟道MOSFET。
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (ON)
- 高功率, 高电流处理能力, 适用于表面安装应用
- 与竞争对手的沟渠技术相比，Qg和Qgd非常低
- 快速开关速度
- 100%经过UIL测试
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
36A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
62W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.019ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003