打印页面
FDG1024NZ
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.16 ohm
可订购
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY6.540 (CNY7.3902) |
| 10+ | CNY4.290 (CNY4.8477) |
| 100+ | CNY2.870 (CNY3.2431) |
| 500+ | CNY2.600 (CNY2.938) |
| 1000+ | CNY2.110 (CNY2.3843) |
| 5000+ | CNY1.950 (CNY2.2035) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY6.54 (CNY7.39 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品概述
The FDG1024NZ is a dual N-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
- Very low level gate drive requirements allowing operation in 1.5V circuits (VGS (th) <lt/>1V)
- Very small package outline
- ±8V Gate to source voltage
- 1.2A Continuous drain current
- 6A Pulsed drain current
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
1.2A
漏源导通电阻P沟道
0.16ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
360mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
1.2A
漏源通态电阻N沟道
0.16ohm
晶体管封装类型
SC-70
耗散功率N沟道
360mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000318