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FDG6335N
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDG6335N
库存编号2453408
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道700mA
连续漏极电流 Id P沟道700mA
漏源通态电阻N沟道0.18ohm
漏源导通电阻P沟道0.18ohm
晶体管封装类型SC-70
针脚数6引脚
耗散功率N沟道300mW
耗散功率P沟道300mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDG6335N is a PowerTrench® dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized use in small switching regulators, providing an extremely low RDS (ON) and gate charge (QG) in a small package. It is suitable for use with DC-to-DC converters and load switch applications.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Compact industry standard surface-mount-package
- ±12V Gate to source voltage
- 0.7A Continuous drain current
- 2.1A Pulsed drain current
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
700mA
漏源导通电阻P沟道
0.18ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
300mW
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
700mA
漏源通态电阻N沟道
0.18ohm
晶体管封装类型
SC-70
耗散功率N沟道
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000097