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FDMA420NZ
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 5.7 A, 0.03 ohm, µFET, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
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| 10+ | CNY4.100 (CNY4.633) |
| 100+ | CNY2.820 (CNY3.1866) |
| 500+ | CNY2.330 (CNY2.6329) |
| 1000+ | CNY1.800 (CNY2.034) |
| 5000+ | CNY1.770 (CNY2.0001) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMA420NZ
库存编号1885757
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续5.7A
漏源接通状态电阻0.03ohm
晶体管封装类型µFET
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值830mV
功率耗散2.4W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
FDMA420NZ 是一款单N沟道MOSFET, 采用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench®工艺制造, 优化RDS (ON) @ VGS = 2.5V, 并配有特殊MicroFET引线框架。适用于锂离子电池。
- 无卤素
- <gt/> 2.5kV HBM ESD保护等级
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5.7A
晶体管封装类型
µFET
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
2.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.03ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
830mV
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0025