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FDMC86102LZ
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 22 A, 0.019 ohm, MLP, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMC86102LZ
库存编号2323180
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续22A
漏源接通状态电阻0.019ohm
晶体管封装类型MLP
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.6V
功率耗散41W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
The FDMC86102LZ is a N-channel Logic Level MOSFETs produced using advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the ON-state resistance and yet maintains superior switching performance. G-S Zener has been added to enhance ESD voltage level.
- 100% UIL tested
- 6kV typical HBM ESD protection level
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
22A
晶体管封装类型
MLP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
41W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.019ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000151