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FDMS7650
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 100 A, 990 µohm, Power 56, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMS7650
库存编号2323181
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻990µohm
晶体管封装类型Power 56
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.9V
功率耗散104W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The FDMS7650 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge and extremely low RDS (ON). It is suitable for O-ring FET and synchronous rectifier.
- Advanced package and silicon combination for low RDS (ON) and high efficiency
- MSL1 robust package design
- 100% UIL tested
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
Power 56
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
990µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.9V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00023