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FDMS7678
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 26 A, 0.0055 ohm, Power 56, 表面安装
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| 100+ | CNY3.660 (CNY4.1358) |
| 500+ | CNY3.210 (CNY3.6273) |
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| 5000+ | CNY2.530 (CNY2.8589) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMS7678
库存编号2254253
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续26A
漏源接通状态电阻0.0055ohm
晶体管封装类型Power 56
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散41W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
26A
晶体管封装类型
Power 56
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
41W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0055ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005