打印页面
FDMS86201
功率场效应管, MOSFET, N通道, 120 V, 35 A, 9600 µohm, Power 56, 表面安装
2,552 有货
6,000 您现在可以预订货品了
5 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
2547 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY14.270 (CNY16.1251) |
| 10+ | CNY11.660 (CNY13.1758) |
| 100+ | CNY9.950 (CNY11.2435) |
| 500+ | CNY9.420 (CNY10.6446) |
| 1000+ | CNY9.120 (CNY10.3056) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY14.27 (CNY16.13 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMS86201
库存编号2083317
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds120V
电流, Id 连续35A
漏源接通状态电阻9600µohm
晶体管封装类型Power 56
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.6V
功率耗散104W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The FDMS86201 is a N-channel MOSFET is produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.
- Shielded gate MOSFET technology
- Advanced package and silicon combination for low RDS (ON) and high efficiency
- MSL1 Robust package design
- 100% UIL tested
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
35A
晶体管封装类型
Power 56
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
120V
漏源接通状态电阻
9600µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.6V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
相关产品
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000132