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FDN335N
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SuperSOT, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDN335N
库存编号2323183
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续1.7A
漏源接通状态电阻0.07ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值900mV
功率耗散500mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDN335N is a N-channel 2.5V specified MOSFET uses advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
- Low gate threshold voltage
- High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.7A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.07ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
900mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000036