打印页面
FDN337N
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, 表面安装
65,254 有货
6,000 您现在可以预订货品了
43150 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
17274 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
4830 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.530 (CNY3.9889) |
| 50+ | CNY2.980 (CNY3.3674) |
| 100+ | CNY2.420 (CNY2.7346) |
| 500+ | CNY1.580 (CNY1.7854) |
| 1500+ | CNY1.550 (CNY1.7515) |
| 3000+ | CNY1.480 (CNY1.6724) |
| 7500+ | CNY1.400 (CNY1.582) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY17.65 (CNY19.94 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDN337N
库存编号9845356
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续2.2A
漏源接通状态电阻0.065ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值700mV
功率耗散500mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
FDN337N是一款N沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管, superSOT-3封装。该晶体管采用高单元密度, DMOS技术, 这种高密度工艺可用于降低导通电阻, 适用于需要快速开关和低内联功率损耗的低电压应用, 例如笔记本电脑, 便携式电话, PCMCIA卡以及其他电池供电电路, 小型表面装封装。
- 高密度单元设计, 极低Rds(开)
- 卓越的导通电阻与最大DC电流能力
- 漏极至源极电压 (Vds): 30V
- 栅-源电压: ±8V
- Vgs 4.5V时, 低导通电阻65mohm
- 连续漏极电流: 2.2A
- 最大功耗 500mW
- 工作结温范围: -55°C至150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.2A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.065ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
700mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
FDN337N 的替代之选
找到 3 件产品
相关产品
找到 8 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033