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FDP33N25
功率场效应管, MOSFET, N通道, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, 通孔
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产品概述
FDP33N25 是基于平面条纹和 DMOS 技术生产的 UniFET™ N 沟道高压 MOSFET。这款 MOSFET 专门用于降低导通电阻，提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。它适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 100%经过雪崩测试
- 36.8nC典型低栅极电荷
- 39pF典型低Crss
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
33A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
235W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
250V
漏源接通状态电阻
0.094ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002