打印页面
FDPF44N25T
功率场效应管, MOSFET, N通道, 250 V, 44 A, 0.058 ohm, TO-220F, 通孔
202 有货
需要更多？
202 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.280 (CNY18.3964) |
| 10+ | CNY10.320 (CNY11.6616) |
| 100+ | CNY10.180 (CNY11.5034) |
| 500+ | CNY10.050 (CNY11.3565) |
| 1000+ | CNY9.910 (CNY11.1983) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY16.28 (CNY18.40 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDPF44N25T
库存编号2322606
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds250V
电流, Id 连续44A
漏源接通状态电阻0.058ohm
晶体管封装类型TO-220F
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散38W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The FDPF44N25T is an UniFET™ high voltage MOSFET produced based on planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
- 47nC Typical low gate charge
- 60pF Typical low Crss
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
44A
晶体管封装类型
TO-220F
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
38W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
250V
漏源接通状态电阻
0.058ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00293