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FDS3890
双路场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS3890
库存编号2101472
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道80V
漏源电压Vds P沟道80V
连续漏极电流 Id N沟道4.7A
连续漏极电流 Id P沟道4.7A
漏源通态电阻N沟道0.034ohm
漏源导通电阻P沟道0.034ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDS3890 is a PowerTrench® dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. This MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V Gate to source voltage
- 4.7A Continuous drain current
- 20A Pulsed drain current
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
80V
连续漏极电流 Id P沟道
4.7A
漏源导通电阻P沟道
0.034ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
4.7A
漏源通态电阻N沟道
0.034ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001