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FDS5351
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, 表面安装
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| 100+ | CNY3.310 (CNY3.7403) |
| 500+ | CNY2.770 (CNY3.1301) |
| 1000+ | CNY2.310 (CNY2.6103) |
| 5000+ | CNY2.270 (CNY2.5651) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS5351
库存编号2322609
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续6.1A
漏源接通状态电阻0.0265ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDS5351 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is suitable for inverter switch, synchronous rectifier and load switch.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 100% UIL Tested
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6.1A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0265ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.01