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FDS6930B.
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS6930B.
库存编号1841569
技术数据表
通道类型N Channel
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道5.5A
连续漏极电流 Id P沟道5.5A
漏源通态电阻N沟道0.031ohm
漏源导通电阻P沟道0.031ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围Compute Module 3+ Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 - Unlimited
SVHC(高度关注物质)No SVHC (14-Jun-2023)
技术规格
通道类型
N Channel
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
5.5A
漏源导通电阻P沟道
0.031ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
Compute Module 3+ Series
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
5.5A
漏源通态电阻N沟道
0.031ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (14-Jun-2023)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002268