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FDS8984
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS8984
库存编号2464131
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道7A
连续漏极电流 Id P沟道7A
漏源通态电阻N沟道0.019ohm
漏源导通电阻P沟道0.019ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.6W
耗散功率P沟道1.6W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDS8984 is a dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed.
- Low gate charge
- ±20V Gate to source voltage
- 7A Continuous drain current
- 30A Pulsed drain current
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
7A
漏源导通电阻P沟道
0.019ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.6W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
7A
漏源通态电阻N沟道
0.019ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000259