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FQA8N100C
功率场效应管, MOSFET, N通道, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, 通孔
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FQA8N100C
库存编号2453888
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds1kV
电流, Id 连续8A
漏源接通状态电阻1.2ohm
晶体管封装类型TO-3PN
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散225W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The FQA8N100C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- Low gate charge (53nC)
- Low Crss (16pF)
- 100% avalanche tested
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
8A
晶体管封装类型
TO-3PN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
225W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
1kV
漏源接通状态电阻
1.2ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.006401