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FQD11P06TM
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 100+ | CNY5.860 (CNY6.6218) |
| 500+ | CNY4.560 (CNY5.1528) |
| 1000+ | CNY4.220 (CNY4.7686) |
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产品概述
注释
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
9.4A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.185ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
QFET
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001512