打印页面
FQD18N20V2TM
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
8,402 有货
需要更多？
8402 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.510 (CNY13.0063) |
| 10+ | CNY8.670 (CNY9.7971) |
| 100+ | CNY5.990 (CNY6.7687) |
| 500+ | CNY4.530 (CNY5.1189) |
| 1000+ | CNY4.080 (CNY4.6104) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY11.51 (CNY13.01 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FQD18N20V2TM
库存编号1095052
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续15A
漏源接通状态电阻0.14ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散2.5W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The FQD18N20V2 is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- 100% avalanche tested
- 20nC Typical low gate charge
- 25pF typical low Crss
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
15A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.14ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
相关产品
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000289