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FQD6N40CTM
功率场效应管, MOSFET, N通道, 400 V, 4.5 A, 0.83 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 500+ | CNY4.750 (CNY5.3675) |
| 1000+ | CNY4.320 (CNY4.8816) |
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最低: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FQD6N40CTM
库存编号2322630
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds400V
电流, Id 连续4.5A
漏源接通状态电阻0.83ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散48W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
FQD6N40CTM 是采用平面条纹和 DMOS 技术生产的 QFET® N 沟道增强型功率 MOSFET。这种先进的 MOSFET 技术专门用于降低导通电阻、提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。它适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子镇流器。
- 100%经过雪崩测试
- 16nC典型低栅极电荷
- 15pF典型低Crss
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
4.5A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
48W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
400V
漏源接通状态电阻
0.83ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.01