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FQP47P06
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-220, 通孔
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产品概述
The FQP47P06 is a -60V P-channel QFET® MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications.
- Low gate charge (typical 84nC)
- Low Crss (typical 320pF)
- 100% avalanche tested
- ±25V gate to source voltage
- 62.5°C/W thermal resistance, junction to ambient
- 0.94°C/W thermal resistance, junction to case
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
47A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
160W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.026ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
QFET
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002041