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FQP8N80C
功率场效应管, MOSFET, N通道, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220AB, 通孔
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FQP8N80C
库存编号2453446
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds800V
电流, Id 连续8A
漏源接通状态电阻1.29ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散178W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
FQP8N80C是一款采用平面条纹和DMOS技术生产的N沟道QFET®增强模式功率MOSFET。这种先进的MOSFET技术专门用于降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。该器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
- 低栅极电荷 (35nC)
- 低Crss（13pF）
- 100%经过雪崩测试
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
8A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
178W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
1.29ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0018