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H11G1M
光电耦合器, 晶体管输出, 1通道, DIP, 6 引脚, 60 mA, 7.5 kV, 500 %
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY3.900 (CNY4.407) |
| 25+ | CNY3.730 (CNY4.2149) |
| 50+ | CNY3.550 (CNY4.0115) |
| 100+ | CNY3.380 (CNY3.8194) |
| 500+ | CNY2.950 (CNY3.3335) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号H11G1M
库存编号2453919
技术数据表
通道数1通道
光电耦合器封装类型DIP
针脚数6引脚
正向电流 If 最大值60mA
隔离电压7.5kV
电流转换率 最小500%
集电极发射电压, Vceo100V
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The H11G1M is a 6-pin high voltage photodarlington-type optically Coupled Optocoupler consists of gallium-arsenide infrared emitting diode coupled with a silicon Darlington connected phototransistor which has an integral base-emitter resistor to optimize elevated temperature characteristics. It is suitable for CMOS logic interface, telephone ring detector, low input TTL interface and replace pulse transformer.
- 100μA at 80°C Maximum low leakage current
- 850V Maximum working insulation voltage
- 6000V High allowable overvoltage
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道数
1通道
针脚数
6引脚
隔离电压
7.5kV
集电极发射电压, Vceo
100V
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
光电耦合器封装类型
DIP
正向电流 If 最大值
60mA
电流转换率 最小
500%
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000855