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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号H11G2SR2M
库存编号2322528
技术数据表
通道数1通道
光电耦合器封装类型表面安装DIP
针脚数6引脚
正向电流 If 最大值60mA
隔离电压7.5kV
电流转换率 最小500%
集电极发射电压, Vceo80V
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
H11G2SR2M is a photo darlington-type optically coupled optocoupler. The device has gallium arsenide infrared emitting diode coupled with a silicon darlington connected phototransistor which has an integral base-emitter resistor to optimize elevated temperature characteristics. Typical applications include CMOS logic interface, telephone ring detector, low input TTL interface, power supply isolation and replace pulse transformer.
- High BVCEO 80V minimum
- High sensitivity to low input current (minimum 500% CTR at IF = 1mA)
- Low leakage current at elevated temperature
- UL1577, 4170VACRMS for 1min
- DIN-EN/IEC60747-5-5, 850 V peak working insulation voltage
技术规格
通道数
1通道
针脚数
6引脚
隔离电压
7.5kV
集电极发射电压, Vceo
80V
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
光电耦合器封装类型
表面安装DIP
正向电流 If 最大值
60mA
电流转换率 最小
500%
产品范围
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000907