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HGT1S10N120BNST
IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 引脚
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| 500+ | CNY44.880 (CNY50.7144) |
| 800+ | CNY42.970 (CNY48.5561) |
| 1600+ | CNY42.110 (CNY47.5843) |
| 2400+ | CNY41.250 (CNY46.6125) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号HGT1S10N120BNST
库存编号2454176
技术数据表
连续集电极电流35A
集电极-发射极饱和电压2.45V
功率耗散298W
最大集电极发射电压1.2kV
晶体管封装类型TO-263AB
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
晶体管安装表面安装
产品范围-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The HGT1S10N120BNST is a N-channel Non-punch Through (NPT) IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS and solar inverter. It is new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. It combines the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor.
- Short-circuit rating
- Avalanche rated
- 2.45V @ IC = 10A Low saturation voltage
- 140ns Fall time @ TJ = 150°C
- 298W Total power dissipation @ TC = 25°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
连续集电极电流
35A
功率耗散
298W
晶体管封装类型
TO-263AB
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
集电极-发射极饱和电压
2.45V
最大集电极发射电压
1.2kV
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001312