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产品概述
The HGTP7N60A4 is a SMPS IGBT combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. It is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.
- 1.9V @ IC = 7A Low saturation voltage
- 75ns Fall time @ TJ = 125°C
- 125W Total power dissipation @ TC = 25°C
技术规格
连续集电极电流
34A
功率耗散
125W
晶体管封装类型
TO-220AB
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
集电极-发射极饱和电压
2.7V
最大集电极发射电压
600V
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量(千克):.002033