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KSC5502DTM
单晶体管 双极, 高电压, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY6.160 (CNY6.9608) |
| 100+ | CNY4.070 (CNY4.5991) |
| 500+ | CNY2.900 (CNY3.277) |
| 2500+ | CNY2.520 (CNY2.8476) |
| 7500+ | CNY2.470 (CNY2.7911) |
| 20000+ | CNY2.420 (CNY2.7346) |
| 37500+ | CNY2.370 (CNY2.6781) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号KSC5502DTM
库存编号2101374
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压600V
连续集电极电流2A
功率耗散50W
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率11MHz
直流电流增益, Hfe 最小值15hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The KSC5502DTM is a NPN triple diffused planar Silicon Transistor offers 1200V collector base voltage and 2A collector current. It is suitable for high voltage power switch switching applications.
- Wide safe operating area
- Built-in free-wheeling diode
- Small variance in storage time
- Suitable for electronic ballast application
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
2A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
15hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
600V
功率耗散
50W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
11MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000557