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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMBFJ201
库存编号2323150
技术数据表
栅源击穿电压最大值-40V
零闸电压漏极电流最大值1mA
栅极源极截断电压最大值-1.5V
晶体管封装类型SOT-23
引脚数3引脚
工作温度最高值150°C
通道类型N通道
晶体管安装表面安装
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The MMBFJ201 is a 40V N-channel Junction (JFET) Field Effect Transistor designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. This product is general usage and suitable for many different applications.
- 40V Drain gate voltage (VDG)
- 50mA Forward gate current
- 357°C/W Thermal resistance, junction to ambient
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
栅源击穿电压最大值
-40V
栅极源极截断电压最大值
-1.5V
引脚数
3引脚
通道类型
N通道
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
零闸电压漏极电流最大值
1mA
晶体管封装类型
SOT-23
工作温度最高值
150°C
晶体管安装
表面安装
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
MMBFJ201 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000034