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MMBT5179
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMBT5179
库存编号2454024
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压12V
过渡频率2GHz
功率耗散225mW
连续集电极电流50mA
晶体管封装类型SOT-23
针脚数3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值25hFE
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The MMBT5179 is a NPN RF Transistor designed for use in low-noise UHF/VHF amplifiers with collector currents in the 100µA to 30mA range in common emitter or common base mode of operation and in low frequency drift, high output UHF oscillators.
- 12V Collector-emitter voltage
- 20V Collector-base voltage
- 2.5V Emitter-base voltage
- 50mA Continuous collector current
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
NPN
过渡频率
2GHz
连续集电极电流
50mA
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
12V
功率耗散
225mW
晶体管封装类型
SOT-23
直流电流增益, Hfe 最小值
25hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000363