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NDS331N
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, 表面安装
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NDS331N
库存编号1839006
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续1.3A
漏源接通状态电阻0.16ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值700mV
功率耗散500mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
NDS331N是一款N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管, 采用高单元密度, DMOS技术. 这种非常高密度的工艺特别适合降低导通电阻. 适用于PCMCIA卡与其他电池供电电路的低电压应用, 其中需要非常小的表面安装封装, 以及快速开关与低功耗.
- 高密度单元设计, 极低RDS(ON)
- 卓越的导通电阻与最大DC电流能力
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.3A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.16ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
700mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
NDS331N 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454