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NDS355AN
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 1.7 A, 0.085 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 500+ | CNY1.750 (CNY1.9775) |
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| 2500+ | CNY1.580 (CNY1.7854) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NDS355AN
库存编号9845429
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续1.7A
漏源接通状态电阻0.085ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.6V
功率耗散500mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The NDS355AN is a SuperSOT™-3 N-channel logic level enhancement-mode Power FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It is particularly suited for low voltage applications in PCMCIA cards, other battery powered circuits where fast switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface-mount package. It comes with industry standard outline surface-mount package using proprietary SuperSOT™-3 design for superior thermal and electrical capabilities.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- Exceptional ON-resistance and maximum DC current capability
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.7A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.085ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033