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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NDT2955
库存编号2323215
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续2.5A
漏源接通状态电阻0.3ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.6V
功率耗散3W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The NDT2955 is a P-channel MOSFET produced using high voltage Trench process.
- 高密度单元设计, 极低RDS(ON)
- 高功率, 高电流处理能力, 适用于表面安装应用
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2.5A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.3ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.6V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000226