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RFP12N10L
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, 通孔
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号RFP12N10L
库存编号1017795
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续12A
漏源接通状态电阻0.2ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散60W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The RFP12N10L is a 100V N-channel logic level enhancement mode power MOSFET designed for logic level 5V driving sources in applications such as programmable controllers, automotive switching and solenoid drivers. This performance is accomplished through a special gate oxide design which provides full rated conduction at gate biases in the 3 to 5V range, thereby facilitating true on-off power control directly from logic circuit supply voltages. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Compatible with automotive drive requirements
- Can be driven directly from QMOS, NMOS and TTL circuits
- High input impedance
- Nanosecond switching speed
- Linear transfer characteristics
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
60W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.2ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454