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| 10+ | CNY52.890 (CNY59.7657) |
| 50+ | CNY52.050 (CNY58.8165) |
| 100+ | CNY51.210 (CNY57.8673) |
| 250+ | CNY50.720 (CNY57.3136) |
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品項附註
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
22A
漏源接通状态电阻
0.16ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
2.69V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
128W
产品范围
G3R
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001393