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G3R30MT12K
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 90 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
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|---|---|
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| 5+ | CNY259.480 (CNY293.2124) |
| 10+ | CNY217.200 (CNY245.436) |
| 50+ | CNY196.070 (CNY221.5591) |
| 100+ | CNY181.970 (CNY205.6261) |
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产品概述
G3R30MT12K 是一款 1200V、30 欧姆、N 沟道增强型碳化硅 MOSFET。其应用包括太阳能逆变器、电机驱动器、电动汽车充电、高压 DC-DC 转换器、开关模式电源、UPS、智能电网输配电、感应加热和焊接。
- G3R™（第三代）技术，RDS（ON）温度系数低
- 更低的 Q 值和更小的 RG(INT)，低器件电容（COSS、CRSS）
- LoRing™ - 电磁优化设计，卓越的性价比指数
- 稳健的体二极管，具有低 VF 和低 QRR，通过 100% 雪崩 (UIL) 测试
- 与商用栅极驱动器兼容，各种温度下的传导损耗都很低
- 开关速度更快，效率更高，开关尖峰更少，损耗更低
- 减少振铃，提高功率密度和系统效率
- 易于并联，不会出现热失控，具有卓越的坚固性和系统可靠性
- 工作和存储温度范围为 -55 至 175°C，TO-247-4 封装
- Tc = 100°C、V = -5 / +15V 时的连续正向电流为 50A
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
90A
漏源接通状态电阻
0.03ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
2.69V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
281W
产品范围
G3R
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001393