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G3R60MT07K
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 37 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247
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|---|---|
| 1+ | CNY80.840 (CNY91.3492) |
| 5+ | CNY74.030 (CNY83.6539) |
| 10+ | CNY67.200 (CNY75.936) |
| 50+ | CNY66.870 (CNY75.5631) |
| 100+ | CNY66.520 (CNY75.1676) |
| 250+ | CNY66.170 (CNY74.7721) |
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产品信息
制造商GENESIC
制造商产品编号G3R60MT07K
库存编号4218049
产品范围G3R Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续37A
漏源电压, Vds750V
漏源接通状态电阻0.06ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压15V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散127W
工作温度最高值175°C
产品范围G3R Series
产品概述
G3R60MT07K is a N-channel enhancement mode silicon carbide MOSFET in a 4 pin TO-247 package. Typical applications include solar (PV) inverters, server & telecom power supplies, Uninterruptible Power Supplies (UPS), EV / HEV charging, DC-DC converters, Switched Mode Power Supplies (SMPS), energy storage and battery charging and Class D amplifiers.
- G3R™ Technology for enhanced performance and reliability
- Softer RDS(ON) v/s temperature dependency for stable operation
- LoRing™ – Electromagnetically optimized design for reduced EMI
- Smaller RG(INT) and lower Qg for efficient switching
- Low device capacitances for faster response
- Superior cost-performance index
- Robust body diode with low VF and low QRR
- 100% avalanche (UIL) tested
- Low conduction losses at all temperatures, reduced ringing
- Faster and more efficient switching, lesser switching spikes and lower losses
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
37A
漏源接通状态电阻
0.06ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
2.5V
工作温度最高值
175°C
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
750V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
127W
产品范围
G3R Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Switzerland
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Switzerland
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0062