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1ED3125MU12FXUMA1
栅极驱动器, 高压侧, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1通道, SOIC-8, 3.1 V至15 V
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY14.550 (CNY16.4415) |
| 10+ | CNY9.920 (CNY11.2096) |
| 50+ | CNY9.660 (CNY10.9158) |
| 100+ | CNY9.410 (CNY10.6333) |
| 250+ | CNY8.900 (CNY10.057) |
| 500+ | CNY8.600 (CNY9.718) |
| 1000+ | CNY8.310 (CNY9.3903) |
| 2500+ | CNY8.060 (CNY9.1078) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号1ED3125MU12FXUMA1
库存编号3680206
也称为1ED3125MU12F, SP005352066
技术数据表
通道数1放大器
栅极驱动器类型隔离式
驱动配置高压侧
电源开关类型IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型反相, 非反相
拉电流10A
灌电流9A
电源电压最小值3.1V
电源电压最大值15V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值150°C
输入延迟90ns
输出延迟90ns
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道数
1放大器
驱动配置
高压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
10A
电源电压最小值
3.1V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
90ns
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
反相, 非反相
灌电流
9A
电源电压最大值
15V
工作温度最高值
150°C
输出延迟
90ns
合规
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Indonesia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Indonesia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00045