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1EDB7275FXUMA1
栅极驱动器, EiceDRIVER, 1 放大器, 隔离式, 高压侧, GaN、Si MOSFET、SiC MOSFET, 8 引脚, SOIC
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号1EDB7275FXUMA1
库存编号3773216RL
也称为SP005351350, 1EDB7275F
技术数据表
通道数1放大器
栅极驱动器类型隔离式
驱动配置高压侧
电源开关类型GaN、Si MOSFET、SiC MOSFET
针脚数8引脚
驱动器封装类型SOIC
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型反相, 非反相
拉电流5.4A
灌电流9.8A
电源电压最小值3V
电源电压最大值15V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟45ns
输出延迟45ns
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
1EDB7275FXUMA1是采用150密耳DSO封装的EiceDRIVER™ 1EDBx275F系列单通道隔离栅极驱动器IC。该单通道隔离栅极驱动器IC专为驱动硅、碳化硅和氮化镓功率开关而设计。1EDB7275FXUMA1采用8引脚DSO封装，输入至输出爬电距离为4mm，通过片上无芯变压器(CT)技术实现隔离。凭借严格的时序规格，1EDBx275F专为快速开关的中高功率系统设计。其卓越的共模抑制比、低器件间偏差、快速信号传播及小型封装特性，使其成为替代光耦合器或脉冲变压器高侧驱动方案的优选方案。
- 5A/9A峰值源/吸电流，4.2V/3.9V欠压锁定ON/OFF
- UL 1577（VISO = 3000 VRMS）隔离认证
- 输入至输出传播延迟45ns，精度优异（+6/-4 ns）
- 独立低阻抗源/漏输出
- 在欠压锁定（UVLO）条件下快速抑制寄生效应导致的输出过冲
- 快速启动时间及电源毛刺后的快速恢复
- 针对硅、碳化硅和氮化镓晶体管优化的欠压锁定（UVLO）阈值（4V、8V、12V、15V）
- 高共模瞬态抗扰度（CMTI > 300V/ns）
- 完全符合 JEDEC 工业应用标准
- 结温范围: -40到150°C
技术规格
通道数
1放大器
驱动配置
高压侧
针脚数
8引脚
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
反相, 非反相
灌电流
9.8A
电源电压最大值
15V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
45ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
GaN、Si MOSFET、SiC MOSFET
驱动器封装类型
SOIC
芯片安装
表面安装
拉电流
5.4A
电源电压最小值
3V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
45ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001361