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1EDN8550BXTSA1
MOSFET驱动器, 高压侧, 4.5V至20V电源, 8A输出, 45ns延迟, SOT-23-6
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY3.900 (CNY4.407) |
| 10+ | CNY2.790 (CNY3.1527) |
| 100+ | CNY2.360 (CNY2.6668) |
| 500+ | CNY2.340 (CNY2.6442) |
| 1000+ | CNY2.310 (CNY2.6103) |
| 2500+ | CNY2.290 (CNY2.5877) |
| 5000+ | CNY2.260 (CNY2.5538) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号1EDN8550BXTSA1
库存编号2983361
产品范围EiceDRIVER
也称为1EDN8550B, SP001690388
技术数据表
通道数1放大器
栅极驱动器类型非隔离
驱动配置高压侧
电源开关类型GaN HEMT, IGBT, MOSFET
针脚数6引脚
IC 外壳 / 封装SOT-23
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流4A
灌电流8A
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值20V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值150°C
输入延迟45ns
输出延迟45ns
产品范围EiceDRIVER
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
1EDN8550BXTSA1 是一款 EiceDRIVER™ 单通道高压侧和低压侧栅极驱动器，具有高CMR TDI 输入。它具有全差分输入电路。真正的差分输入 (TDI) 具有出色的共模稳健性 (CMR)，消除了误触发的风险。小封装基底面实现了低压侧和高压侧驱动的多功能布局。其应用包括服务器、电信和工业 SMPS、DC-DC 转换器和砖、电动工具和电机控制。
- 欠压锁定 (UVLO) 接通阈值为 8V（典型值，标准 MOSFET）
- 欠压锁定 (UVLO) 关断阈值为 7V（典型值，标准 MOSFET）
- 超大共模输入电压范围高达 ±200V，可通过共模电阻器进行配置
- 下沉输出电流为 -8.0A（典型值，VDD=12V），最大 CMR 动态为 ±400V
- 输入到输出的开通和关断传播延迟为 45ns（典型值，CL=200pF，TJ=25°C）
- 完全符合 JEDEC 工业级应用标准
- 电源电压范围为 4.5 至 20V（UVLO 规定的最低电压，TJ=25°C）
- VDD 静态电流为 1.1mA（典型值，OUT=高电平，VDD=12V，TJ=25°C）
- 上升时间为 6.5ns（典型值，CLOAD= 1.8nF，VVDD= 12V），下降时间为 4.5ns（典型值，CLOAD= 1.8nF，VVDD= 12V）
- PGSOT23-6 封装，-40 至 150°C 结温
技术规格
通道数
1放大器
驱动配置
高压侧
针脚数
6引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
4A
电源电压最小值
4.5V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
45ns
产品范围
EiceDRIVER
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
栅极驱动器类型
非隔离
电源开关类型
GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOT-23
输入类型
非反向
灌电流
8A
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
150°C
输出延迟
45ns
合规
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001